在晶片上使用晶圓凸塊的助焊錫劑

上次我粗粗地介紹利用晶圓凸塊的助焊劑作為一種轉變粗制、醜陋、電鍍的焊錫凸塊變成所需的低氧化凸塊，以在隨後的隨著工藝中形成可靠的釺焊接頭。顯然，為了使這些助焊劑去除氧化劑，關鍵的是在正確的位置有足夠的助焊劑以利用去除氧化物:至於通常自旋的晶圓凸塊助焊劑，助焊劑的厚度是各種不同因數的函數，包括主要下列關鍵內容:

·         助焊劑起初在晶片上的數量

·         自旋速度

·         助焊劑粘度

·         溫度

沒有必要重新改裝輪子，從算術上看，因為模式適用於光致抗蝕劑的應用，類似於牛頓或近牛頓液體。我和Maria Durham在今年的幾次會議上，我已經討論過該模式，但是

作這理論的模式，我們作過幾種假設，包括如下:

·         沒有塊狀/凸塊的平整園片

·         200mm園片

·         園片完全是圓形(忽視槽口)

·         園片集中在夾盤上

·         周圍的條件沒有影響(T，%RH，局部的空氣流速等)

常見的旋塗理論公式是這個模式的使用基礎，這在2013年的論文裏已有詳細記載(圖1)。

(圖1)Durham等，“在2.5D/3D Era的半導體助焊劑”，iMAPS設備包裝會議，2013

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