在晶片上使用晶圆凸块的助焊锡剂

上次我粗粗地介绍利用晶圆凸块的助焊剂作为一种转变粗制、丑陋、电镀的焊锡凸块变成所需的低氧化凸块，以在随后的随着工艺中形成可靠的钎焊接头。显然，为了使这些助焊剂去除氧化剂，关键的是在正确的位置有足够的助焊剂以利用去除氧化物:至于通常自旋的晶圆凸块助焊剂，助焊剂的厚度是各种不同因子的函数，包括主要下列关键内容:

·         助焊剂起初在晶片上的数量

·         自旋速度

·         助焊剂粘度

·         温度

没有必要重新改装轮子，从算术上看，因为模式适用于光致抗蚀剂的应用，类似于牛顿或近牛顿液体。我和Maria Durham在今年的几次会议上，我已经讨论过该模式，但是

作这理论的模式，我们作过几种假设，包括如下:

·         没有块状/凸块的平整园片

·         200mm园片

·         园片完全是圆形(忽视槽口)

·         园片集中在夹盘上

·         周围的条件没有影响(T，%RH，局部的空气流速等)

常见的旋涂理论公式是这个模式的使用基础，这在2013年的论文里已有详细记载(图1)。

(图1)Durham等，“在2.5D/3D Era的半导体助焊剂”，iMAPS设备包装会议，2013

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