焊膏和助焊劑浸漬深度: II
週二，2011年11月15， Andy Mackie [流覽簡歷]
接著我們上次的討論...
不知您是否還記得上一篇關於這個話題的討論，我和我的朋友兼同事 Chris Nash 一直在討論層疊封裝 (PoP) 材料測試中，發現的一些令人費解的浸漬高度低的結果。對於所有在表面組裝技術和倒裝晶片安裝中使用熱浸法的人，這些發現都將激發他們的興趣。
文章 II:熱浸法中直線式刮刀（來回）的高速運行， 需要較高的焊膏和助焊劑浸漬高度，使浸漬高度接近工程設計理論界限的期望值，即50微米或以上的浸漬高度。高速切變使助焊劑變薄，既對減少邊界層的厚度有所影響，也有利於減少外延的（附帶的）粘度，從而使成分更容易從浸漬託盤中釋放出來。
如果你想達到更低的浸漬深度將會怎樣呢?
隨著我們進入到銅柱倒轉晶片浸漬領域，（我們聽說的）一些日本顧客甚至都可以完成層疊封裝的安裝，浸漬高度（浸漬深度）能夠一直低到10-20微米，我們還聽說旋轉浸漬託盤正在進入全盛時期。下圖展示了一個助焊劑和焊錫浸漬託盤的簡單型式。
跟往常一樣，如果您想瞭解更多資訊，請與我聯繫。
謝謝，再見! Andy
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