銦在化合物半導體製造中的應用:未來大有希望

適合光學電子、無線電頻率和粉體電子設備的一些主要的裝配材料:

• 砷化鎵(GaAs)
• 氮化鎵(GaN)
• 和幾種以銦為基礎的材料，諸如:
  • 磷化銦(InP)
  • 銦鎵磷化物(InGaP)

這些材料提供矽元素不具備的特性，半導體的參考材料。持續性能與實用性表現在三個重要的方面:

技術

在市場份額上，GaN佔據了化合物的半導體產業，以銦為基礎的III-V化合物半導體顯示自身的少數優點，這一點從國際半導體技術發展藍圖(ITRS)可以看出。

ITRS，最新的版本為2013年版，包含有關無線電頻率和類似/混合的信號技術的部分，討論各種各種電晶體(HEMT，HBT)和材料(GaAs，GaN，InP，InGaP等)技術的製造方案的實用性。

尤其，藍圖表格顯示GaN HEMT在2018年尚且未知的製造方案。相比較，相競爭的以InP為基礎的技術已經瞭解到2021年。和GaAs PHEMT平臺相比，InP也具有一個優點。GaN的製造方案已經明確，它們落後於InP的類似努力，InP的製造方案已經存在，而且正被優化。

換句話說，和其他化合物的半導體材料相比，InP顯得先進，但至於製造，未來還有更長的路要走。

可用性

銦資源非常豐富–比銀更多。還有，正因為供應量大，價格最近已經下降。大有希望!

材料價格因為幾個因素而波動，包括供應，需求，處理能力，等等。銦的供應與可用性自從80年以前的工業化以來，一直都是可靠的。Indium公司的垂直整合確保我們有能力，我們正在密切聯繫整個採購過程，從採礦，精煉直至最終的製造。

品質

Indium公司自從1934年成立以來，因為我們的品質體系，一直是一家最佳的，垂直整合的銦供應商。這是Indium公司作為一家公司的不同之處，不但我們的材料用戶，而且這些用的客戶也需要確保整個供應鏈都生機勃勃，無比可靠。

如果你們有什麼疑問，請與我聯繫。

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