铟在化合物半导体制造中的应用:未来大有希望

适合光学电子、无线电频率和粉体电子设备的一些主要的装配材料:

• 砷化镓(GaAs)
• 氮化镓(GaN)
• 和几种以铟为基础的材料，诸如:
  • 磷化铟(InP)
  • 铟镓磷化物(InGaP)

这些材料提供硅元素不具备的特性，半导体的参考材料。持续性能与实用性表现在三个重要的方面:

技术

在市场份额上，GaN占据了化合物的半导体产业，以铟为基础的III-V化合物半导体显示自身的少数优点，这一点从国际半导体技术发展蓝图(ITRS)可以看出。

ITRS，最新的版本为2013年版，包含有关无线电频率和类似/混合的信号技术的部分，讨论各种各种晶体管(HEMT，HBT)和材料(GaAs，GaN，InP，InGaP等)技术的制造方案的实用性。

尤其，蓝图表格显示GaN HEMT在2018年尚且未知的制造方案。相比较，相竞争的以InP为基础的技术已经了解到2021年。和GaAs PHEMT平台相比，InP也具有一个优点。GaN的制造方案已经明确，它们落后于InP的类似努力，InP的制造方案已经存在，而且正被优化。

换句话说，和其它化合物的半导体材料相比，InP显得先进，但至于制造，未来还有更长的路要走。

可用性

铟资源非常丰富–比银更多。还有，正因为供应量大，价格最近已经下降。大有希望!

材料价格因为几个因素而波动，包括供应，需求，处理能力，等等。铟的供应与可用性自从80年以前的工业化以来，一直都是可靠的。Indium公司的垂直整合确保我们有能力，我们正在密切联系整个采购过程，从采矿，精炼直至最终的制造。

质量

Indium公司自从1934年成立以来，因为我们的质量体系，一直是一家最佳的，垂直整合的铟供应商。这是Indium公司作为一家公司的不同之处，不但我们的材料用户，而且这些用的客户也需要确保整个供应链都生机勃勃，无比可靠。

如果你们有什么疑问，请与我联系。

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