Indium bei der Herstellung von Verbindungshalbleitern: Eine vielversprechende Zukunft
Ein paar führende Montagematerialien für Optoelektroniken, Radiofrequenzen und hochleistungsfähige elektronische Geräte sind:
- Galliumarsenid (GaAs)
- Galliumnitrid (GaN)
- und verschiedene Materialien auf Indiumbasis, wie:
- Indiumphosphid (InP)
- Indiumgalliumphosphid
(InGaP)
Diese Materialien besitzen Eigenschaften, die nicht in Silizium, dem Referenzmaterial für Halbleiter, zu finden sind. Das Versprechen der erhöhten Leistung und Verfügbarkeit stammt aus drei wichtigen Betrachtungswinkeln:
TECHNOLOGIE
Während GaN den Marktanteil der Verbindungshalbleiterindustrie dominiert, scheinen III-V Verbindungshalbleiter auf Indiumbasis ein paar ganz eigene Vorteile zu bieten, wie man an Hand der Daten der aktuellen Internet Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) sehen kann.
Die ITRS, deren letzte Ausgabe von 2013 ist, enthält einen Abschnitt über Radiofrequenzen und analoge/gemischte Signaltechnologien, in dem über die Verfügbarkeit von Lösungen bei der Herstellung unterschiedlicher Transistoren- (HEMT, HBT) und Materialtechnologien (GaAs, GaN, InP, InGaP, etc.) diskutiert wird.
Vor allem die Tabellen in der Roadmap zeigen, dass Herstellungslösungen für GaN HEMT über 2018 hinaus nicht bekannt sind. Im Gegensatz dazu ist dies bei der konkurrierenden Technologie auf InP-Basis bis 2021 bekannt. InP besitzt außerdem einen Vorteil, wenn man es mit der GaAs PHEMT Plattform vergleicht. Während Herstellungslösungen für GaN bekannt sind, hinken sie ähnlichen Bemühungen bei InP hinterher, bei dem Herstellungslösungen vorhanden sind und optimiert werden.
Mit anderen Worten, InP scheint führend zu sein, wenn man es mit anderen Verbindungshalbleitermaterialien vergleicht und es reicht weiter in die Zukunft, wenn es um die Herstellung geht.
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