電遷移(EM)電化學遷移(ECM)
周日，2011年1月31日，Andy Mackie[流覽簡歷]
本周，我應邀為即將發行的IPC手冊(IPC-CH-65 HDBK)撰寫有關污染及其對印刷電路裝配(PWA’s)影響的稿件。標準的SMT / PCB板的技術顯然交叉了半導體裝配：具體地說交叉了倒裝晶片、微凸塊和TSV裝配。但是，術語是“開始碰撞”：現在需要理解半導體製造商熟悉的習語，它們要成為那些從SMT進入該領域的半導體包裝工程師們的詞典部分。對此我要直接記錄下來，所以，我這篇博克的貼子是根據2009年我在IWLPC會議上的論文編寫的，但更多的觀眾可能重複讀到過。
電化學遷移(ECM)
ECM以相金屬之間的金屬離子運動為特徵，形成樹枝狀結晶。這裏的關鍵控制參數是：
- 水分或高濕度，作為%RH測量
- 存在可移動的 金屬離子
- 很高的勢梯度，用每單位長度伏特表示(說成V/cm)
高溫也可能加劇問題。帶正電荷的含水離子金屬將移往陰極(-ve)，形成樹枝狀結晶，這是一種針狀或樹枝狀的金屬結構。樹枝狀結晶是ECM基本的可視指示器。
電遷移(EM)
另一方面，當大量高速的電子衝擊影響金屬原子並通過簡單的動量傳遞驅逐時，EM發生在金屬導體內：
- 高溫度
- 存在移動的金屬原子
- 高電流密度，用單位面積安培表示(說成A/cm2)
重要的是要注意濕度或其他周圍水分對EM沒有影響，因為EM發生在金屬接頭之內。
EM基本的可視指示器表明在陽極(+ve)附近的金屬互連各點存在空隙，常常電流密度最大(“電流擁擠”效應 – 參見下圖)。 
空隙通常可以在接頭內看到，最終可能導致熱耗散和接頭破壞，因為接頭有效的截面區經過一段時間後收縮，增加電流密度。
我希望這種解釋清楚、合理。
歡呼!
Andy
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