电迁移(EM)电化学迁移(ECM)
周日，2011年1月31日，Andy Mackie[浏览简历]
本周，我应邀为即将发行的IPC手册(IPC-CH-65 HDBK)撰写有关污染及其对印刷电路装配(PWA’s)影响的稿件。标准的SMT / PCB板的技术显然交叉了半导体装配：具体地说交叉了倒装晶片、微凸块和TSV装配。但是，术语是“开始碰撞”：现在需要理解半导体制造商熟悉的习语，它们要成为那些从SMT进入该领域的半导体包装工程师们的词典部分。对此我要直接记录下来，所以，我这篇博克的贴子是根据2009年我在IWLPC会议上的论文编写的，但更多的观众可能重复读到过。
电化学迁移(ECM)
ECM以相金属之间的金属离子运动为特征，形成树枝状结晶。这里的关键控制参数是：
- 水分或高湿度，作为%RH测量
- 存在可移动的金属离子
- 很高的势梯度，用每单位长度伏特表示(说成V/cm)
高温也可能加剧问题。带正电荷的含水离子金属将移往阴极(-ve)，形成树枝状结晶，这是一种针状或树枝状的金属结构。树枝状结晶是ECM基本的可视指示器。
电迁移(EM)
另一方面，当大量高速的电子冲击影响金属原子并通过简单的动量传递驱逐时，EM发生在金属导体内：
- 高温度
- 存在移动的金属原子
- 高电流密度，用单位面积安培表示(说成A/cm2)
重要的是要注意湿度或其它周围水分对EM没有影响，因为EM发生在金属接头之内。
EM基本的可视指示器表明在阳极(+ve)附近的金属互连各点存在空隙，常常电流密度最大(“电流拥挤”效应 – 参见下图)。 
空隙通常可以在接头内看到，最终可能导致热耗散和接头破坏，因为接头有效的截面区经过一段时间后收缩，增加电流密度。
我希望这种解释清楚、合理。
欢呼!
Andy
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