So nutzen Sie die REM-Analyse zur Charakterisierung einer Lötverbindung

Die Rasterelektronenmikroskopie (REM) wird zur Charakterisierung von Lötverbindungsquerschnitten eingesetzt, um die Ursache eines Lötfehlers zu identifizieren. Obwohl es viele verschiedene Erkennungsverfahren gibt, die mit der REM verwendet werden können, werden insbesondere rückgestreute Elektronen (BSE) und Sekundärelektronen (SE) eingesetzt.

Häufig werden BSE- und SE-Aufnahmen fälschlicherweise austauschbar verwendet. Denken Sie daran, dass diese beiden Erkennungsverfahren mikroskopische Aufnahmen erzeugen, anhand der zwei verschiedene Merkmale eines Materials geprüft werden können. SE-Aufnahmen eignen sich besser für die Betrachtung von Oberflächenmerkmalen eines Materials, beispielsweise Bruchschäden oder Oberflächenrauigkeit. Ein BSE dringt tiefer in die Oberfläche des Materials ein, um hoch detaillierte Aufnahmen der Mikrostruktur und Korngrenzen des Materials zu erstellen. Aus diesem Grund ist das BSE-Verfahren besser geeignet, um eine intermetallische Lötstellenschicht zu prüfen.

Da eine BSE tiefer in das Material eindringt, ist sie von dessen Atommasse abhängig. Eine SE-Aufnahme bildet die Oberfläche des Materials ab und ist daher von der Atommasse des Materials unabhängig. Die BSE wiederum ist nachsichtiger gegenüber schlechter Oberflächenpräparation, da die Elektronen von unterhalb der Oberfläche kommen.

Die vorstehenden Bilder veranschaulichen, wie die SE-Aufnahmen links mehr Oberflächendetails liefern, während die BSE-Aufnahmen rechts mehr Details über die Korngrenzen bereitstellen. Wenn Sie also bei der Suche nach Informationen über eine Oberfläche BSE-Aufnahmen verwenden, dann werden Sie einige kritische Details nicht bemerken. Wenn Sie dagegen die Mikrostruktur eines Materials anhand von SE-Aufnahmen prüfen, werden Sie ebenfalls einige kritische Details nicht bemerken.