Seminarios web sobre el proyecto de material para fijación al troquel libre de plomo, de alta temperatura - iNEMI

El 14 de abril, iNEMI será el anfitrión de dos seminarios web con el propósito de discutir un nuevo proyecto orientado hacia los materiales para fijación al troquel libres de plomo y de alta temperatura. Hay dos seminarios web para acomodarse a las diferentes zonas horarias alrededor del mundo. El primero ocurrirá a las 9:00 am EDT E.E.U.U., lo que equivale a las 13:00 GMT y a las 22:00 en el Japón. El segundo ocurrirá a las 9:00 am, hora de Singapur, el 13 de abril, lo que equivale a las 21:00 pm EDT y a las 18:00 pm PDT, E.E.U.U.

Los líderes del proyecto son Sze Pei Lim de Indium Corporation y Kinya Ichikawa de Intel. 

Por iNEMI

Antecedentes

No existe una única solución de sustitución directa identificada para un material libre de plomo y de alta temperatura para fijación al troquel que pueda remplazar las opciones actuales de alto contenido de plomo.

La temperatura más alta de unión para aplicaciones automotrices por debajo del capó requiere de aleaciones con confiabilidad más alta que puedan cumplir con el exigente requisito TCT.

Propósito del proyecto

El propósito de este proyecto consiste en evaluar la capacidad de procesamiento y la confiabilidad de diferentes materiales libres de plomo disponibles para la aplicación de fijación al troquel de semiconductores de potencia sobre sustrato de bastidor de conexiones o sustrato cerámico, donde en la actualidad se usan materiales que contienen plomo. Este es uno de los retos sobre materiales identificados en el Mapa de ruta de tecnología de empaques en iNEMI 2013.

Este proyecto presenta un enfoque por fases. La fase 1 consiste en realizar un estudio comparativo sobre la disponibilidad de tecnologías y materiales, además de las tendencias de los materiales y procesos POR actuales. La fase 2 consiste en realizar un experimento para asegurar los desempeños de confiabilidad mediante la selección de materiales candidatos.

Los beneficios anticipados consisten de varias opciones de soluciones de materiales a partir de las dos fases del proyecto.

Objetivos de aplicación - MOSFET de potencia; módulos IGBT, módulos de potencia integrados.

9:00 am, hora de Singapur, el 13 de abril, lo que equivale a las 21:00 pm EDT y a las 18:00 pm PDT, E.E.U.U.