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인듐을 전기 도금하는 데 시간이 얼마나 걸립니까?

Monday, March 27, 2023

때때로 저는 "인듐 설파메이트 배스(Indium Sulfamate Bath)를 사용하여 제 플레이트에 인듐 20bf mu m을 전착하는 데 얼마나 걸립니까?"와 같은 질문을 받습니다. 음, 이 질문에 대한 대답은 고객이 매우 쉽게 이해하도록 하겠습니다. 이것을 쉽게 계산하는 방법을 보여 드리겠습니다. 이번 게시물에서는 누구나 이해하는 간단하고 쉬운 관계를 도출해 보겠습니다. 저를 믿으십시오. 쉽습니다. 고등학교에서 공부한 몇 가지 기본 관계들을 이용하십시오. In3+ 이온을 In 원자로 환원하는 데 필요한 전자 수로 시작합니다 – 3, 맞습니다!

그래서, 전하량은 얼마나 되죠? – 3전자!

걸리는 시간은 모든 인듐 이온을 환원하기 위해 공급해야 하는 전하량과 공급할 수 있는 시간 속도에 직접적으로 달렸습니다. 즉, "전류"입니다!

이 유명한 전류-전하량 관계에 대해 들어본 적이 있다면, i= frac{q}{t} 그렇죠, 다음이 바로 제가 말하는 관계입니다.

그렇다면, 기본으로 돌아가서,

text{Time}= frac{text{Charge needed to reduce all the indium ions}}{text{Current}} 

text{Time}=frac{text{Charge needed to reduce one indium ion}times text{Total number of indium ions to reduce }}{text{Current}} 

text{Time}=frac{3e times text{(no. of moles to reduce}times text{Avogadro's number)}}{text{Current}}text{, where e is the charge of an electron (e=1.6}times 10^{-19}text{C)} 

text{Time}=frac{ text{3e Na}times frac{text{Mass}}{text{Mol. Wt}}}{text{Current}}text{, where Na is the Avogadro's number (Na=6.022}times 10^{23}text{/mole)}

text{Time}=frac{frac{text{3e Na}}{text{Mw}}times text{ Volume}timestext{density} }{text{Current}}text{, where Mw is the Molecular weight (Mw=114.82 g/mole)

text{Time}=frac{frac{text{3e Na } rho}{text{Mw}}times text{ Surface area}timestext{thickness}}{text{Current}}text{, where } rho text{ is the density of Indium (} rho text{=7.31 g/cm}^{3})

text{Time}=frac{frac{text{3e Na } rho}{text{Mw}}times text{thickness} }{frac{text{Current}}{text{Surface Area}}}text{, where thickness = 20}mu text{m = 0.0020 cm}

text{Time}=frac{text{3e Na } rho}{text{Mw j}}times text{thickness}text{, where j is the assumed Current Density (j = 20 {mA/cm}}^{2} text{= 0.020 A/cm}^{2})    

음극(인듐이 전착되는 곳)이 100% 효율적이지 않으면, 시간이 조금 더 걸립니다. σ가 효율성이라고 합시다. 그러면 frac{1}{sigma}배 더 오래 걸립니다. 예를 들어, 50% 효율적이면 frac{1}{0.5}=2배 더 오래 걸립니다. 따라서 효율성을 통합하면 시간 방정식은 다음과 같습니다.

text{시간}=frac{text{3e Na } rho}{sigmatext{ Mw j}}x text{두께}  text{, 여기서}sigma text{는 가정된 음극 효율성(}sigma text{ = 0.9)}

위의 방정식에 이 모든 값을 대입하면 다음과 같은 결과를 얻습니다:                                 

text{시간}=frac{text{3e Na } rho}{sigmatext{ Mw j}}x text{두께 = 2045초}약text{34분} 

좋아요, 답은 20mbfm 전착 예상 시간은 34분이며 어떤 요인이 이것을 변경할 수 있는지 알고 있습니다.

그리고 가장 널리 사용되는 두께 및 전류 밀도 단위에 대해 분 단위로 시간을 계산하는 쉬운 공식이 있습니다.

좋아요. 이 숫자를 30.676 "Shital의 인플레이트 상수"라고 부르면 어떨까요!좋습니다

Indium Corporation의 Indium Sulfamate Bath는 음극 효율이 90%입니다. 더 높은 효율성이란 더 적은 시간을 의미합니다! 적용할 일반적인 전류 밀도는 약 text{10-20 mA/cm}^2이지만 수조 온도를 text{20 - 25}^otext{C}로 유지하면서 최대 text{100 mA/cm}^2까지 올릴 수 있습니다. 전류 밀도를 text{20 {mA/cm}}^2에서 text{100 {mA/cm}}^2로 높이면 전착 시간을 5배 줄일 수 있습니다. 즉, 동일한 20 mu bf m이 이제 7분 안에 전착됩니다.

오늘날 인듐 도금의 광범위한 사용은 IndiumCorporation의 설립자들이 처음으로 상업적 인듐 도금 조를 만들었던 1930년대로 돌아갑니다. 최근 반도체 기술과 플립 칩 본딩의 발전은 인듐을 활용하여 웨이퍼 층 사이에 상호 연결을 하는 것입니다. 인듐은 고밀도, 저피치 및 고종횡비 인듐 범프를 생성하기 위해 웨이퍼 기판에 전기 도금됩니다. 인듐의 부드러움, 연성 및 습윤성은 완벽하게 평평하지 않거나 정렬되지 않은 경우에도 두 표면 사이의 강력하고 안정적인 연결을 보장합니다. 또한 인듐은 0에 가까운 온도에서도 안정성을 나타내므로 우주와 같은 극한 환경에서 작동하는 반도체 적용 분야에 사용하기에 매우 적합합니다.

인듐 코팅으로 골동품 금속 제품을 복원 및 수리하는 것을 포함하여 소규모 전기 도금 프로젝트를 생각하고 있으시다면, 여기에 있는 것과 같이 사용하기 쉬운 안전한 전기 도금 키트로 시작할 수 있습니다.

인듐 전기도금, Indium Sulfamate Bath 및 인듐 범프 전기도금에 대한 자세한 내용은 다음 문서를 참조하십시오. 

  1. 인듐 설파메이트 도금 욕을 사용하여 더 미세한 입자 조직 달성
  2. 펄스 도금을 사용한 웨이퍼의 인듐 범프 전기 도금
  3. 인듐 도포 대체 도금 방법
  4. 인듐 도금을 위한 적절한 표면 처리
  5. 인듐 설파메이트 도금 욕을 사용한 프로토타입 도금
  6. 인듐 설파메이트 도금 욕 용액의 회수 및 폐기

 

그리고 기타 문의 사항은 저에게 연락주세요.smiley

더 자세한 자료가 필요하세요? 보관된 자료의 목록에서 확인하시거나 블로그의 홈 페이지로 돌아가세요.

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